Bu çalışmada, CH 4 gazı kullanılarak bakır folyolar üzerinde grafen ince filmlerin sentezlenmesi amaçlanmıştır. İnce filmlerin elde edilebilmesi için plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) ve kimyasal buhar biriktirme (CVD) yöntemi kullanılmıştır. Bakır alt-taşlar, standart ön temizlik yapıldıktan sonra kuvars camdan yapılmış reaktöre yerleştirilmiştir. Vakum odasının taban basıncı 5-10 mTorr’a düşürüldükten ve hidrojen gazı ile tavlama işlemi yapıldıktan sonra, CH 4 gazı ortama gaz akış kontrol ünitesi yardımıyla gönderilmiştir. PECVD sisteminde; RF güç kaynağı (13,56 MHz), kontrol ünitesi vasıtasıyla aktif hale getirilerek, üretilen enerji ortama gönderilmiştir. İşlem basıncı 100 mTorr, sıcaklık 600 ˚ C, RF gücü 50 W ve kaplama süresi ise 20 dakika olarak ayarlanmıştır. CVD tekniğinde ise, RF gücü ortadan kaldırılmış ve büyütme sıcaklığı 1000 ˚ C olarak belirlenmiştir. Elde edilen Grafen nanoyapıların karakterizasyonu için Raman, SEM ve TEM analizleri gerçekleştirilmiştir. Raman sonuçlarına göre, CVD yöntemiyle elde edilen yapılar, tek tabaka grafen yapısını doğrulamıştır. Bununla beraber PECVD tekniği ile tek tabaka grafen nanoyapılardan ziyade çok tabakalı yapı elde edildi.