Bu çalışma, p-Si kristali üzerine tris (2,2’-bipyridine) Ruthenium(II)-complex ince filmin döndürme kaplama yöntemi ile (Al/Ru(II)/p-Si) yapısının oluşturulması ile ilgilidir.  Karakteristik parametreler oda sıcaklığında karanlık ve aydınlatma durumundaki akım-gerilim (I-V) eğrilerinden belirlendi. İlk olarak organik ince filmin optiksel özellikleri,  soğurma spektrumu kullanılarak, bant aralığı 2.74 eV olarak bulundu. Ondan sonra Al/Ru(II)/p-Si fotodiyotunun, idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦbI-V), difüzyon potansiyeli, engel yüksekliği (ΦbC-V) ve taşıyıcı konsantrasyonu (Na) gibi elektriksel parametreler, oda sıcaklığında (I-V) ve (C-V) ölçümlerinden hesaplandı. Her iki engel yüksekliği değeri birbirleri ile karşılaştırıldı. Cheung metodu kullanılarak karanlık ve 100 mW/cm2 aydınlatma durumu altında seri direnç (Rs), engel yüksekliği ve idealite faktörü belirlendi. Devrenin fotovoltaik parametreleri aydınlatma durumunda incelendi. Al/Ru(II)/p-Si için açık devre voltajı ve kısa devre akımı sırasıyla 439.9 x 10-3 V ve 36.6 x 10-6 A olarak bulundu. Ruthenium (II) complex, fotovoltaik performansı pozitif olarak etkilemiştir. Bu sonuçlar Al/Ru(II)/p-Si yapısının fotovoltaik ve fotodedektör uygulamalarında bir fotodiyot olarak kullanılabileceğini ortaya çıkarmıştır.